简单的密勒效应的实验电路
电路中C1即Cgs,可以防止Vgs抖动,VIN开启通常都是牡丹江干式变压器或者直接插拔,Cgs有助于消除由于机械抖动导致的Vgs抖动,所以C1不能太小。C2即Cdg,Cdg与一个小电阻串联,主要目的是防止Idg过大,此外上电时,C1和C2有一个交流分压,所以C1好远大于C2,防止MOS管误开启。D2是一个TVS,防止Vgs过压,导致MOS管闩锁。
三、相关计算
既然是计算,那么面临的问题就是计算什么?我们要利用密勒效应控制冲击电流,那么电流,也就是Ids是我们的计算对象。通过上文我们知道,密勒效应期间MOS管的栅源电压Ugs是保持不变的,那么Ugs就是我们需要计算的对象。
Ugs和Ids,共两个未知数,因此,需要建立两个独立的方程才能求得结果。
方程一
******个方程来自于MOS管的特性,MOS管是电压控制型器件,由Ugs可以控制Ids,从教科书上可以找到如下公式 ,
Ids=Ido(Ugs/Ugs(th)-1)^2
上述公式需要两个参数,就是Ido和Ugs(th),获取这个参数好的方式,就是从MOS管的规格书上找到转移特性曲线,如下图
然后根据实际的Ids和Ugs,挑出两组值,就可以解出Ido和Ugs(th)。也可以用多组值利用数值方法,小二乘法之类的拟合出一个Ido和Ugs(th)。
有了方程一,Ids和Ugs关系就知道了。
方程二
第二个方程来自于密勒效应,即密勒效应期间,栅源牡丹江干式变压器Ugs保持不变。
就是dUgs/dt=0,上文推出了Ids/Cds=Idg/Cdg。
此时又多了一个Idg为未知数,但Idg是实际电路电路参数决定的。
分析一下第二节中的电路图。
(Vin-Vsg)/R2-Idg=Vsg/R1
也就是(Vin-Vsg)/R2-IdsCdg/Cds=Vsg/R1,这就是方程二
方程二也说明可以通过电路参数人为控制密勒平台。
实测验证
有示波器和资源的可以焊接一个单板,利用示波器测试,看看与理论计算值是否相符。牡丹江干式变压器公司验证过,但信息安全比较严,图片什么的就弄不出来了。好希望家里有个示波器。
要想在示波器上看到密勒平台,需要注意两点:
恒流期的Ugs要明显大于稳定时的Ugs(也就是R1和R2分压),太接近就看不出来。
密勒平台持续时间要长,太短就看不出来,也就是恒流对负载电容充电的时间,电容电压高于一定值就会退出恒流区,这就要求要么充电电流小,要么负载电容很大。
文章转载自网络,如有侵权,请联系删除。|发布时间:2018.06.21来源:牡丹江干式变压器厂家
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